En México la Sección de Electrónica del Estado Sólido (SEES) del Departamento de Ingeniería Eléctrica   es una referencia sobre los Circuitos en Alta Escala de Integracion (VLSI), los Semiconductores y la Nanotecnología. En la SEES se instaló la Planta Piloto de Celdas Solares en los 70's, un proyecto científico-tecnológico exitoso sobre los Semiconductores a nivel mundial: Se crecieron Monocristales de Silicio, se fabricaron las Celdas Solares y se instalaron Modulos Fotovoltaicos en diversas partes del País. Esta experiencia nos permite hoy desarrollar diversos proyectos en Nanotecnologia, así como en el  desarrollo de Celdas Solares y Dispositivos de Almacenamiento de Energia con materiales nanoestructurados.

La Sección de Electrónica del Estado Sólido (SEES) realiza investigación en Materiales Avanzados para la Electrónica, Dispositivos Semiconductores, Circuitos Integrados, Nanoelectrónica, y diferentes aplicaciones de la Energía Solar. La SEES inició sus actividades desde hace 50 años, cuando se creó el CINVESTAV en 1961.

Su planta académica es de 21 investigadores con grado de Doctor en Ciencias de Ingeniería Eléctrica, miembros del Sistema Nacional de Investigadores (SNI).

Todos los Programas de estudio se ofrecen sólo en la modalidad de tiempo completo.

VIDEO DE SECCIÓN

TRIPTICO

Triptico SEES

GALERÍA FOTOGRÁFICA

PROGRAMA

Misión:

Contribuir a la satisfacción de la demanda de Ingenieros expertos mediante la preparación de personal altamente calificado en el área de Electrónica del Estado Sólido. así como mediante la investigación de las tecnologías  para el desarrollo del país.

Formación de recursos humanos de alto nivel en el área de la Electrónica del Estado Sólido, donde los estudiantes adquieran una visión amplia, una formación sólida y sean capaces de resolver problemas de Ingeniería en el campo de los Dispositivos Electrónicos, la Nanotecnologia, el Diseño de Sistemas y Circuitos Integrados, sus aplicaciones y áreas afines.

Realizar Investigación Científica-Tecnológica y formar Recursos Humanos de alto nivel. Ambas actividades están fuertemente vinculadas, y por ello los estudiantes de Posgrado realizan actividades de investigación como parte integral de su formación.

Visión:

Seguir siendo una de las secciones líder en la formación de investigadores de alto nivel  en el ramo de la Electrónica del Estado Sólido y escalar en la lista de instituciones de alto prestigio tanto nacional como internacional.

Per­fil de Ingreso Maestría

Aspirantes egresados de las carreras de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, Energía y Química, Física y Matemáticas y áreas a­fines.

Perfil de Egreso Maestría

Profesional de calidad y alto nivel técnico que cuenta con bases científicas y tecnológicas para la solución de problemas de desarrollo tecnológico, teóricos y experimentales y para realizar actividades docentes en su área de especialidad.

En México la Sección de Electrónica del Estado Sólido (SEES) del Departamento de Ingeniería Eléctrica   es una referencia sobre los Circuitos en Alta Escala de Integracion (VLSI), los Semiconductores y la Nanotecnología.

En la SEES se instaló la Planta Piloto de Celdas Solares en los 70's, un proyecto científico-tecnológico exitoso sobre los Semiconductores a nivel mundial: Se crecieron Monocristales de Silicio, se fabricaron las Celdas Solares y se instalaron Modulos Fotovoltaicos en diversas partes del País. Esta experiencia nos permite hoy desarrollar diversos proyectos en Nanotecnologia, así como en el  desarrollo de Celdas Solares y Dispositivos de Almacenamiento de Energia con materiales nanoestructurados.

La Sección de Electrónica del Estado Sólido (SEES) realiza investigación en Materiales Avanzados para la Electrónica, Dispositivos Semiconductores, Circuitos Integrados, Nanoelectrónica, y diferentes aplicaciones de la Energía Solar. La SEES inició sus actividades desde hace 50 años, cuando se creó el CINVESTAV en 1961.

Las líneas de investigación que se manejan en la sección de Electrónica del Estado Sólido son:

  • Dispositivos semiconductores
  • Materiales 
  • Caracterización de semiconductores.
  • Diseño de circuitos integrados VLSI
  • Nanotecnología

Dispositivos Semiconductores

  1. Celdas solares.
  2. Diodos emisores de luz.
  3. OLEDs.
  4. TFTs.
  5. Sensores de gases.
  6. Sensores MOS basados en
  7.  Transistores de compuerta flotante.

Investigadores relacionados con ésta línea

Antonio Cerdeira Altuzarra

Magali de la Milagrosa Estrada del Cueto

José Arturo Morales Acevedo

Rodolfo Antonio Quintero Romo

Rubio Gabriel Romero Paredes

 

Materiales 

  1. Semiconductores III-V.
  2. Silicio monocristalino.
  3. Silicio amorfo.
  4. Silicio poroso.
  5. Semiconductores orgánicos.
  6. Semiconductores transparentes.

Investigadores relacionados con ésta línea

Arturo Maldonado Álvarez

Jaime Mimila Arroyo

María de la Luz Olvera Amador

Ramón Peña Sierra

Víctor Manuel Sánchez Reséndiz

 

Caracterización de Semiconductores

  1. Eléctrica: Efecto Hall, I-V, C-V, DLTS.
  2. Óptica: Fotoluminiscencia, Transmitancia,
  3. Reflectancia, Catodoluminiscencia.
  4. Estructural: SIMS, Microscopía electrónica, microscopía de fuerza atómica,  difracción de rayos.

Investigadores relacionados con ésta línea

 José Pablo René Asomoza y Palacio

Alejandro Ávila García

Arturo Escobosa Echavarría

Iouri Koudriavtsev

 

Diseño de Circuitos Integrados y VLSI

  1. Diseño de circuitos integrados analógicos CMOS.
  2. Desarrollo de prototipos en tecnología de componentes VLSI digitales- FPGA.
  3. Diseño de sistemas MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems).
  4.  Desarrollo de métodos para análisis de datos basados en técnicas neurodifusas.

Investigadores relacionados con ésta línea

Felipe Gómez Castañeda

José Antonio Moreno Cadenas

Mario Alfredo Reyes Barranca

 

Nanotecnología

Investigadores relacionados con ésta línea

Vyacheslav Elyukhin

Yasuhiro Matsumoto Kuwabara

Mauricio Ortega López

Velumani Subramaniam

Maestría

 El plan de estudios de Maestría tiene una duración de 2 años dividido en 6 cuatrimestres. En el 1er. año el estudiante cursará de 10 a 14 materias de tipo obligatorio y opcional de acuerdo a su especialidad. Las materias opcionales tienen como objetivo preparar al estudiante en el desarrollo de su tesis. En el 2do. año cursará las materias de trabajo de tesis.

Doctorado

 Para el ingreso al Programa de Doctorado existen dos modalidades. La primera está dirigida a candidatos con grado de Maestría en áreas afines. La segunda está dirigida a estudiantes del Programa de Maestría del DIE que hayan obtenido un promedio mínimo de 9 en el primer año (Doctorado Directo). La duración normal de los estudios de Doctorado es de 3 años, dividido en nueve cuatrimestres.

Doctorado Integrado:

Los estudiantes del Departamento de Ingeniería Eléctrica que hayan concluido los cursos del programa de maestría con un promedio mínimo de 9.0 podrán solicitar su cambio a un programa de Doctorado. En estas circunstancias la duración del Doctorado será de 48 meses, incluyendo la duración de los cursos de maestría.

Electrónica del Estado Sólido 

Plan de estudios Maestría

PRIMER CUATRIMESTRE    
CUATRO CURSOS OBLIGATORIOS

Electrónica Digital (64 hrs)

Electrónica Computacional

Física de Semiconductores (64 hrs)

Tecnología de Semiconductores (48 hrs)
SEGUNDO CUATRIMESTRE    
DOS CURSOS OBLIGATORIOS Y DOS OPCIONALES Caracterización de Semiconductores
Curso Opcional 1
 
Curso Opcional 2

TERCER CUATRIMESTRE

    
DOS CURSOS OPCIONALES Y TRABAJO DE TESIS  
Curso Opcional 3
Curso Opcional 4 Proyecto de tesis 1  
CUARTO CUATRIMESTRE    
  Proyecto de Tesis2   
QUINTO CUATRIMESTRE    
  Proyecto de Tesis 3   
SEXTO CUATRIMESTRE    
  Proyecto de Tesis 3 y Obtención del grado   

CURSOS OPCIONALES

 

 Segundo cuatrimestre (Enero- Abril)

Tercer cuatrimestre (Mayo-Agosto)

  

Cuarto cuatrimestre (Agosto-Diciembre)

  • Trabajos de tesis 2

Quinto  cuatrimestre (Agosto-Diciembre)

  • Trabajos de tesis 3

ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO

Dr RAP CH

José Pablo René Asomoza Palacio 

Investigador Cinvestav 3D. Doctor de Estado (Física del Estado Sólido) (1980) por Universidad de París, Orsay, Francia

Línea de Investigación: Caracterización de semiconductores

Temas de Investigación: Difracción de rayos X. Propiedades de transporte eléctrico de semiconductores. Semiconductores no cristalinos. Espectrometría de masas de iones secundarios.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 3

Teléfono: 5747-3800 ext: 6253

Correo: rasomozacinvestav.mx

Currículum    (versión PDF)


AAvila CH

Alejandro Ávila García 

Investigador Cinvestav 3B. Doctor en Ciencias (1997) por Universidad de Dundee, Reino Unido

Línea de Investigación: Caracterización de semiconductores

Temas de investigación: Silicio amorfo hidrogenado. Caracterización en general de semiconductores. Niveles profundos en semiconductores y su caracterización por DLTS. Crecimiento de óxidos metálicos y compositos óxido metálico-polímero usando rocío químico y sol-gel y su caracterización. Estudio de su uso como capas selectivas solares y como sensores de gases

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 6259

Correo:  aavilasolar.cinvestav.mx

Currículum


ACerdeira CH

Antonio Cerdeira Altuzarra 

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias Técnicas (1977) por Instituto Politécnico Noroccidental de Leningrado, Rusia

Línea de Investigación: Dispositivos semiconductores

Temas de investigación: 

  • Estudio, Caracterización y modelación de transistores MOSFETs avanzados y Transistores de Capa Fina (TFT)

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3780

Correo: cerdeiracinvestav.mx 

Currículum   (Version PDF)


VElyukhin CH

Elyukhin Vyacheslav Aleksandrovich 

Investigador Cinvestav 3C.  Doctor en Física y matemáticas (1981) por Instituto Ioffe Physico Technical, Leningrado, Rusia

Línea de Investigación: Materiales semiconductores

Temas de investigación: Crecimiento de Películas delgadas de semiconductores compuestos con aplicaciones en optoelectrónica. Estudio de la termodinámica del depósito de películas delgadas. Dispositivos Optoelectrónicos a base de compuestos III-V.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3773

Correo: elyukhincinvestav.mx 

Currículum   ( Versión PDF)


Aescobosa CH

Arturo Escobosa Echavarría 

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ingeniería Eléctrica (1983) por Universidad de Aachen, Alemania

Línea de Investigación: Caracterización de semiconductores

Temas de investigación: Crecimiento epitaxial de compuestos III-V. Caracterización de semiconductores, dispositivos optoelectrónicos.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3375

Correo: escobosa cinvestav.mx

Currículum


MEstrada CH

Magali Estrada Del Cueto 

Investigadora Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias Técnicas (1977) por Instituto Politécnico Noroccidental de Leningrado, Rusia

Línea de Investigación: Dispositivos semiconductores

Temas de investigación: 

  • Fabricación, Caracterización y modelación de dispositivos orgánicos: emisores de luz y transistores de capa fina
  • TFT. Estudio, caracterización y modelación de transistores MOSFETs avanzados.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3786

Correo: mestradacinvestav.mx

Currículum (Versión PDF)


FGomez CH

Felipe Gómez Castañeda 

Investigador Cinvestav 3A. Doctor en Ciencias (1996) por Cinvestav-IPN

Línea de Investigación: Diseño de circuitos integrados VLSI

Temas de investigación: Diseño analógico VLSI. Redes neuronales artificiales.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 1

Teléfono: 5747-3800 ext 6262

Correo: fgomezcinvestav.mx

Currículum


Yuriy CH

Iouri Koudriavtsev 

Investigador Cinvestav 3B. Doctor en Física Electrónica y Física de Semiconductores (1998) por Universidad Técnica Estatal St. Petersburgo, Rusia

Línea de Investigación: Caracterización de semiconductores

Temas de investigación: Fenómeno de pulverización (sputtering) Emisión de moléculas. Pulverización preferencial. Modificación de la composición superficial. Análisis de cuerpos sólidos por SIMS. Estudio de razón isotópica. Control de procesos tecnológicos de crecimientos en semiconductores.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 6265

Correo: yuriykcinvestav.mx 

Currículum


AMaldonado Ch

Arturo Maldonado Álvarez 

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1997) por Cinvestav-IPN

Línea de Investigación: Materiales semiconductores

Tema de investigación: Óxidos semiconductores obtenidos por rocío químico.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3782

Correo: amaldocinvestav.mx

Currículum


Yasuhiro CH

Yasuhiro Matsumoto Kuwahara 

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1990) por Universidad de Osaka, Japón

Línea de Investigación: Dispositivos semiconductores

Temas de investigación: Celdas solares de películas delgadas a base de silicio amorfo hidrogenados. Transistores de películas delgadas.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3783

Correo: ymatsumocinvestav.mx

Currículum


Jmimila CH

Jaime Mimila Arroyo 

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1978) por Universidad Pierre et Marie Curie, Francia

Línea de Investigación: Materiales semiconductores

Temas de investigación: Epitaxia de películas delgadas de materiales semiconductores GaAs, InP, GaN, BN ZnO. Crecimiento de semiconductores en cristal masivo. Caracterización de propiedades ópticas y eléctricas de materiales semiconductores. Diodos emisores de luz, transistores, MES-FET, celdas solares. HEMT Al GaN/GaN, H en los semiconductores.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 3

 Teléfono: 5747-3800 ext 6251

Correo: jmimilacinvestav.mx 

Currículum


AMorales Ch

José Arturo Morales Acevedo 

Investigador Cinvestav 3D. Doctor en Ciencias (1987) por Cinvestav-IPN

Línea de Investigación: Dispositivos semiconductores

Temas de investigación: Celdas solares. Física de dispositivos. Semiconductores. Sistemas fotovoltaicos. Instrumentación electrónica.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 3

 Teléfono: 5747-3800 ext 3781

Correo: amoralessolar.cinvestav.mx 

Página Personal

Currículum


JMoreno CH

José Antonio Moreno Cadenas 

Investigador Cinvestav 3A. Doctor en Ciencias (1976) por Instituto Politécnico de Grenoble, Francia

Línea de Investigación: Diseño de circuitos integrados VLSI

Temas de investigación: Diseño de sistemas VLSI. Lógica difusa. Redes neuronales artificiales.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 1

Teléfono: 5747-3800 ext 3785

Correo: jmorenocinvestav.mx

Currículum


MOlvera CH

Maria de La Luz Olvera Amador 

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1998) por Cinvestav-IPN

Línea de Investigación: Materiales semiconductores

Temas de investigación: Películas delgadas de Oxidos Semiconductores. Sensores de gases.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3784

Correo: molveracinvestav.mx

Currículum


MOrtega CH

Mauricio Ortega López 

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1999) por Cinvestav-IPN

Línea de Investigación: Dispositivos semiconductores

Temas de investigación: Síntesis de materiales semiconductores por métodos químicos. Desarrollo de celdas solares fotovoltaicas. Investigación básica en celdas solares.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 6260

Correo: mortegacinvestav.mx 

Currículum


RPena CH

Ramón Peña Sierra 

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1990) por Cinvestav-IPN 

Línea de Investigación: Materiales semiconductores

Temas de investigación: Crecimiento y caracterización de películas epitaxiales semiconductoras por MOCVD. Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz de GaAs-GaAlAs. Láseres de semiconductor. Emisores de luz blanca.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3777

Correo: rpsierracinvestav.mx

Currículum


RQuintero CH

Rodolfo Quintero Romo 

Investigador Cinvestav 3A. Doctor en Ciencias (2005) por Cinvestav-IPN  

Línea de Investigación: Dispositivos semiconductores

Temas de investigación: Simulación y modelación de dispositivos electrónicos basados en materiales semiconductores.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel

Teléfono: 5747-3800 ext 3786

Correo: rquintercinvestav.mx

Currículum   (Versión PDF)


AReyes Ch

Mario Alfredo Reyes Barranca 

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1998) por Cinvestav-IPN   

Línea de Investigación: Diseño de circuitos integrados VLSI

Temas de investigación: Memorias MOS de compuerta flotante para redes neuronales artificiales. Diseño de circuitos integrados analógicos. Dispositivos Micro-Electro-Mecánicos.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 1

Teléfono: 5747-3800 ext 3776

Correo: mreyescinvestav.mx 

Currículum


GRomero CH

Rubio Gabriel Romero Paredes 

Investigador Cinvestav 3B.  Doctor en Ciencias de la Tecnología  (1984) Escuela Superior Técnica de Renania Westafalia, Aachen, Alemania 

Línea de Investigación: Dispositivos semiconductores

Temas de investigación: Dispositivos semiconductores de silicio y silicio poroso. Caracterización de semiconductores. Procesos tecnológicos de circuitos integrados de silicio.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3777

Correo: gromerocinvestav.mx 

Currículum


VSanchez CH

Víctor Manuel Sánchez Resendiz 

Investigador Cinvestav 3C.  Doctor en Ciencias (2000) por Cinvestav-IPN   

Línea de Investigación: Materiales semiconductores

Temas de investigación: Crecimiento de cristales masivos por la técnica Czochralski. Crecimiento de películas epitaxiales por la técnica MOCVD de compuestos III-V (GaAs, GaAs/Si, GaN, InN AlN, y aleaciones).

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3771, 3780

Correo: victorssees.cinvestav.mx 

Currículum


Velumani CH

Velumani Subramaniam  

Investigador Cinvestav 3C.  Doctor en Ciencias (1998) por Universidad Bharathiar, India

Línea de Investigación: Dispositivos semiconductores

Temas de investigación: Materiales y Estructuras Nanoestructurados.

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel 3

Teléfono: 5747-3800 ext 4001 REL. INT

Correo: velucinvestav.mx

Homepage: http://www.sees.cinvestav.mx/Velumani/Index.html

Currículum





Coordinación Académica Sección de Electrónica del Estado Sólido


Departamento de Ingeniería Eléctrica


CINVESTAV


Av. Instituto Politécnico Nacional 2508


Col. San Pedro Zacatenco


C.P. 07360, México D.F.


Tel: 5747– 3800 ext. 3774


Fax: 5747– 3978


Correo-e:Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.; style="text-decoration: none; outline-style: none; color: #00789f;">Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.;/a>


http://www.sees.cinvestav.mx/" style="text-decoration: none; outline-style: none; color: #00789f;">http://www.sees.cinvestav.mx/


 


Jefe de Sección:  Dra. María de la Luz Olvera Amador


Coordinador Académico: Dr. Gabriel Romero Paredes Rubio



Asistentes Electrónica del Estado Sólido



Erika Diana Serrano A.

Tel: 5747-3800 Ext 3772

Correo Electrónico:  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.;>Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.;/a>

 

Yesenia Cervantes Aguirre

Tel: 5747-3800 ext 3774

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Beatríz Urrutia Bohorquez

Tel: 5747-3800 ext 3775

Correo Electrónico:   Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.;>Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.;/a>

VISITAS PROGRAMADAS:


Visita nuestras instalaciones:


Visitas Individuales, Visitas Académicas, Servicio Social y más


 

Contacto: Ing. Martín Jiménez Sarmiento


Tel: 5747-3800 Ext 3772


Correo Electrónico:  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.;>Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.;/a>

 

Teléfono del Conmutador +52 (55) 5747-800

 

Nombre  Extensión  Correo   Información
 INVESTIGADORES      
Dr. René Pablo Asomoza Palacio 3374 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Alejandro Ávila García 6259 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Antonio Cerdeira Altuzarra 6284 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Arturo Escobosa Echavarria 3375 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dra. Magali Estrada del Cueto 3786 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Felipe Gómez Castañeda 6262 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Yuriy Koudriavtsev 6255 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Arturo Maldonado Álvarez 3782 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Yasuhiro Matsumoto Kuwabara 3783 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Jaime Mimila Arroyo 6251 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Arturo Morales Acevedo 3781 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. José Antonio Moreno Cadenas 3785 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dra. Ma. De la Luz Olvera Amador

3771

3772

3784

Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  Jefe de la Sección
Dr. Mauricio Ortega López 6260 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Ramón Peña Sierra 3777 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Rodolfo Quintero Romo 3786 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo. Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.">
 
Dr. Alfredo Reyes Barranca 3776 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Gabriel Romero-Paredes Rubio 3777 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  Coordinador Académico
Dr. Victor Sánchez Reséndiz 3780 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Vyacheslav Elyukhin 3375 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
Dr. Velumani Subramaniam 4080 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.  
       
ASISTENTES      
Erika Diana Serrano Andrade  3772 y 3771  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo. Jefatura - SEES
Yesenia Cervantes Aguirre  3774  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo. Coordinación Académica - SEES
Beatriz Urrutia Bohorquez  3775  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo. Planta Piloto
Norma Díaz Castillo  1642  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo. Espacios Teóricos
       
AUXILIARES DE INVESTIGACIÓN      
 Dr. Oliverio Arellano Cárdenas  6261  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Sistemas Neurodifusos

VLSI

Redes Neuronales

Laboratorio de VLSI Edif. de Computación.

Ing. Miguel Angel Avendaño Ibarra 3773 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Análisis de materiales con técnica SIMS

Mantenimiento preventivo y correctivo al instrumento SIMS

Laboratorio de SIMS SEES

Dr. Gaspar Casados Cruz 3775  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Celdas Solares

Planta Piloto

Ing. Emilio Rafael Espinosa García  6261 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Administrador de Red de Cómputo VLSI

UNIX, Windows NT, Novell

Protocolos de Comunicación

Análisis y pruebas de redes de comunicación

Laboratorio de VLSI Edif. de Computación

M. en C. Luis Martín Flores Nava 6263 

lEsta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Desarrollo en Sistemas CAE sobre Lógica Difusa y Redes Neuronales

Diseño en Sistemas Digitales

Medición y Caraterización de los Circuitos Integrados

Laboratorio de VLSI Edif. de Computación

M. en C. Miguel Galván Arellano 6256   

Crecimiento de Materiales por el método MOCVD Compuestos III-V

Caracterización de Materiales GaAs, GaAlAs

Efecto Hall

Mediciones I-V, C-V

Fotoluminiscencia

Laboratorio de MOCVD SEES

M. en C. Rubén Huerta Cantillo 6256 

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Crecimiento por CSVT de Materiales III-V y II-VI

Caracterización de Materiales

Fotografía Científica óptica y electrónica

Laboratorio de CSVT-SEES

Ing. José Martín Jiménez Sarmiento 6256 

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Administrador de Red en la SEES

Windows NT

Unix

Linux

SEES

Ing. Angela Gabriela López Fabián 6258 

Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Crecimiento de Péliculas mediante el sistema PCVD (Depósito químico en fase de vapor asistido por plasma)

Caracterización de películas en forma óptica y eléctrica

Planta Piloto

Ing. Emma Julia Luna Arredondo 6264   

Celdas Solares

Planta Piloto

Ing. Araceli Palafóx Gómez 3782 

Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Crecimiento de Materiales por la técnica de rocio químico

Planta Piloto

M. en C. Georgina Ramírez Cruz  6255 Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Sistemas Fotovoltáicos

Crecimiento de Cristales Técnica CZ compuestos III-IV

SIMS Secondary Ion Mass Spectroscopy

Fotografía científica

Laboratorio de SIMS-SEES

M. en C. Adolfo Tavira Fuentes 6267  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Fotoluminiscencia

Efecto Hall

Laboratorio de Fotoluminiscencia SEES

Ing. José Antonio Urbano Castelán 3778  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo. Consultoria en Sistemas PV

Diseño de equipos e interfase

Asesoria de:

Tesis de Licenciatura

Participación en árticulos Nacionales e Internacionales

Cursos de Capacitación en Sistemas Fotovoltaicos

Responsables de Proyectos

Planta Piloto

 Dr. Jaime Vega Pérez 6258   

Planta Piloto

M. en C. Alvaro Ángeles Pascual 1740  

Lab. Avanzado de Nanoscopía Electrónica

       
TÉCNICOS      
M. en C. Mario Francisco Avila Meza  6254  

Mediciones I-V

Caracterización de Materiales

Efecto Hall

Norma Iris González García  6257  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo. Evaporación de Metales (Oro, Plata, Cromo, Zinc, Germanio, Paladio, Titanio)

Limpieza de muestras

Fotolitografía

Alvaro Guzmán Campuzano 6260   Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Crecimiento de materiales, por la técnica de rocio químico

Planta Piloto

Alejandro Cesar Meza Serrano  6258  

Limpieza de muestras

Depósito de nitruro sobre silicio

Planta Piloto

Ing. Rosa María Nava Sánchez 6258   Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Celdas Solares

Planta Piloto

Benito Nepomuceno Jerónimo  6268  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo. Fotolitografía

Litografía

Pulido mécanico de obleas de silicio.

Limpiezas MOS

Tratamientos Térmicos (oxidaciones, predepósitos de nitruro de boro y fósforo, de fuentes sólidas, redistribuciones)

Técnico Laboratorista.

SEES

Ing. Miguel Ángel Luna Arias  6258  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo. Depósito de Películas delgadas por evaporación y rocío químico

Medición de espesores mediante perfilómetro

Medición de propiedades eléctricas

Realización de gráficos

Planta Piloto

Daniel Benito Ramírez González  3772  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Crecimientos de GaAs sobre silicio, por la técnica MOCVD

Instalación de Equipos, de crecimiento.

Técnico en Ing. Eléctrica.

Limpiezas MOS

Tratamientos Térmicos (oxidaciones, predepósitos de nitruro de boro y fósforo, de fuentes sólidas, redistribuciones)

Instalación de Equipos.

Mantenimiento preventivo y correctivo a equipos.

Apoyo técnico.

SEES

Edmundo Rodríguez Asención  6257  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Fotografía Científica

Elaboración de Mascarillas

Fotolitografía

SEES

José Guadalupe Sánchez López  6252  Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo. Mediciones de IV

Simulación Electrónica

Limpieza de muestras

Fotolitografía

SEES

Faustino Cipres Ramírez 6299   Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.

Técnico en Maquinas y Herramientas

Torno

SEES

Javier Ramírez Aponte 6258  

Planta Piloto

Josue Esau Romero Ibarra 1743  

Lab. Avanzado de Nanoscopía Electrónica

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